開關處於開通狀態時,直流電源電壓施加到集電極/ 漏極,電流的流向:上臂電晶體/MOSFET →電機線圈(2 相串聯)→下臂電晶體/MOSFET →地...
電晶體:過去、現在和未來我們將如何繼續改進電晶體技術在短期內是相對清楚的,但離今天越遠,它就會變得越模糊...
直流功率原因:外加直流功率而導致的損耗引起的發熱●導通電阻RDS(on)損耗(高溫時RDS(on)增大,導致一定電流下,功耗增加)●由漏電流IDSS引起的損耗(和其他損耗相比極小)瞬態功率原因:外加單觸發脈衝●負載短路●開關損耗(接通、斷開...
Si828x版本2包含以下功能:*4安培峰值柵極驅動電流可有效開關SiC FET和IGBT,降低電動汽車和工業應用的運營成本*改進的共模瞬變抗擾性(CMTI)支援減少開關轉換時間, 升高開關頻率 ,降低系統損耗*額外的欠壓鎖定(UVLO)設...
晶片製造的兩個趨勢,一個是晶圓越來越大,這樣就可以切割出更多的晶片,節省效率,另外就一個就是晶片製程,製程這個概念,其實就是柵極的大小,也可以稱為柵長,在電晶體結構中,電流從Source流入Drain,柵極(Gate)相當於閘門,主要負責控...