做得多了,自然就能掌握電晶體的設計知識了,從這裡就需要儲備動手的經驗,電晶體、FET是構成整個電路的基礎,這裡理解了,其他更多IC的原理圖也就一目瞭然了...
同時,5nm之後的工藝由於電晶體距離過密,加之生產晶片所用的矽材料本身的物理性質,導致隧穿效應的出現(隧穿效應會導致漏電情況加劇,嚴重的話會使得晶片在通電時直接被電流擊穿)...
當然,如果這個問題電晶體是損壞在晶片的重要位置,那這個晶片就徹底報廢了,但這種情況在製造過程中機率比較小,在使用過程中非暴力一般很難發生...
IBM負責混合雲研究的副總裁穆凱什·哈雷說,新的兩奈米晶片大約相當於在一個指甲大小上容納500億個電晶體,每個電晶體的大小相當於兩個DNA鏈...