前 言

在國產晶片製造程序中，光刻機一直位於“卡脖子”環節之列。

作為光刻工藝的核心裝置，光刻機也是所有半導體制造裝置中技術含量最高的裝置，而其光刻的工藝水平直接決定了晶片的製程和效能水平。因此可以說，光刻機的水平直接決定了中國晶片製造的水平。

但關於光刻機，我們可能存在三大認知誤區。

01

我們不缺光刻機

首先，我國光刻機進口並未完全受限，國產光刻機正迎來新突破。

光刻機主要分為兩類：DUV光刻機和EUV光刻機。前者只能做到7nm製程，後者是5nm及更先進製程晶片的剛需。由於EUV光刻機可實現的工藝製程更先進，技術要求極高，全球只有光刻機巨頭ASML一家廠商能夠設計和製造，但製造環節大量使用美國技術。

我國的DUV光刻機供應商主要是荷蘭的ASML、日本的尼康和佳能，

DUV技術是由荷蘭和日本獨立發展，不受美國限制，因此能夠正常供應。

而EUV光刻機國內一直買不到。早在2018年，中芯國際就花了1。2億美元向ASML訂購中國首臺EUV光刻機，受到美國禁令等因素影響，至今沒有收到貨。

不過我國現階段並不急需EUV光刻機，如果我們能夠在DUV光刻機方面獲得進一步突破，還是有可能把國產晶片製程工藝推到7nm甚至更往前。此前有訊息稱，國產光刻機已有新突破，將實現從90nm跨越到28nm，如能量產，國產晶片的自主化程度將會大大提升。

02

有了光刻機，就能造晶片？

其次，

光刻雖然是晶片製造最核心、最難的環節，但不是說有了光刻機就能造晶片了。

晶片製作包括晶片設計、晶片製作、封裝製作等多個環節，其中晶片製作過程尤為複雜。

晶片製造工藝分為“三大”+“四小”工藝，三大包括光刻、刻蝕、沉積；四小包括清洗、氧化、檢測、離子注入。這7個前道工藝缺一不可。

晶片生產過程包含單晶矽片製造、前道工藝和後道工藝

這裡面，三大工藝佔比都很高，光刻機佔到晶片成本30%，刻蝕機25%，PVD/CVD/ALD佔25%，並列成為最重要的三大前道裝置，強調光刻機的重要性時，其他部分也不能忽視。

我們講產業困境時，會反覆提到光刻機，這讓不少人以為只要光刻機不受限，好像晶片的“卡脖子”問題就能解決了，事實並非如此。

晶片工藝流程中，7大前道工藝裝置都不可缺少。

03

造光刻機不是最緊迫的事

那麼，中國現在最緊迫的是造光刻機嗎？其實不是。

從以上分析中可以看出，造光刻機不是當前最緊要的問題，中國半導體制造不缺光刻機。

前面提到的7大前道工藝裝置中，

全球的光刻機制造，基本由ASML、尼康和佳能三巨頭壟斷

，美國能插手的有限。

然而另外6大相關裝置：刻蝕、沉積、離子注入、清洗、氧化、檢測裝置，多由美國和日本壟斷，其中檢測裝置由美國的KLA（科磊）深度壟斷。

眾所周知，經過美國之手的技術，國內想要進口，都存在被限制的風險。因此，對於中國的晶片產業鏈而言，最緊迫的不是造光刻機，而是著力攻關被美國限制的其他更關鍵的技術。

不過話說回來，儘管我國的晶片產業鏈水平與國外相比仍有差距，但我們始終存有趕超的信心。

回顧中國光刻機60年的發展，其實

中國在最初也是條件最艱苦的階段，就曾獨立研發出光刻機，一度把中美之間的距離縮短至7年

。

後因種種因素導致差距再次拉大，且開始面臨斷供的風險，為此，中國再次奮起直追。

2002年，代表中國最先進光刻機水平的上海微電子剛成立時，我國光刻機領域領軍人物賀榮明與國外工程師談技術合作，卻反被嘲諷，“

就是給你們全套圖紙，你們也做不出來！

”

在這樣薄弱的基礎與外界的輕視下，經過十多年的自主研發，我國90nm國產光刻機最終實現量產，且銷往海外。而後道封裝光刻機則早已研製出來並出口海外，全球市佔率高達40%。

今年9月，上海市經信委主任吳金城在新聞釋出會上透露，我國目前已實現14奈米先進工藝規模量產，90奈米光刻機、5奈米刻蝕機、12英寸大矽片、國產CPU、5G晶片等均實現突破。

可以看到，中國正一步步縮小與國外的差距。無論是光刻機，還是其他受限裝置，國產化道路或許漫長，但星星之火已然點亮我們通往勝利的征程。

參考資料：

半導體風向標。《光刻機的三大誤區》

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