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> 結溫
深入瞭解功率半導體器件IGBT晶片結溫測試的方法
2023-01-11
VGE
th
結溫
測量
VCE
在功率迴圈測試周期中,IGBT一般應用裝置柵極+15V老化後,閾值電壓會發生正偏移(30~100)mV),從而導致3~10K測量結溫偏差...
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