雖然光刻機這樣的裝置對於我們普通人來說距離比較遙遠，但是隨著大家對於晶片的認知度越來越高，也對晶片的影響力瞭解得越來越多，用於製造晶片的關鍵裝置光刻機，也就逐漸的被大家所熟知。

眾所周知，目前光刻機的發展已經進入到EUV時代，在此之前則是DUV時代，具體來說，EUV光刻機叫做極紫外光刻機，DUV則叫做深紫外，這個極紫外和深紫外指的則是用於光刻機“雕刻”晶片的光源型別。

這個裝置之所以叫做光刻機，其實意義也就在於此。近日我國企業上海新陽表示，來自ASML的1400型號光刻機已經交貨到位，但是這臺光刻機卻並非是用於生產晶片，用上海新陽的話說，是用於“193nmArF幹法光刻膠產品開發”。

而正是由於這句解釋，讓很多網友產生了誤解。193奈米？難道只能生產193奈米的晶片嗎？

答案當然不是，這裡的193奈米，指的就是光源的波長，屬於深紫外光線的一種，除此之外還有另一種248奈米的光線。

而光刻膠就是在晶片被光刻的過程中一個關鍵半導體材料，所謂193奈米ArF幹法光刻膠，就是可以用於製造14奈米到90奈米晶片之間的光刻膠。

既然如此，那麼這臺ASML-1400光刻機到底能製造什麼工藝的晶片呢？經過查詢ASML官方網站得知，這臺光刻機如果用於生產晶片，那麼適用於65奈米節點，如果用於測試和開發，則可以進一步適用到45奈米。

不過這已經不重要了，畢竟這臺光刻機也並不是用於晶片生產，而是為了光刻膠的研發，事實上，隨著晶片工藝越來越精細，對光刻膠的要求也越來越高，尤其到之後的EUV工藝上，光刻膠的重要性幾乎媲美光源。

因此如今有了這臺光刻機的到貨，對我國在先進光刻膠的研發上算是一個喜事，不過我們也看到了另一面。

因為我們也注意到，該型號的光刻機，ASML早在2004年就已經發布，也就是說，ASML從提供65奈米工藝的1400走到提供7奈米工藝的EUV光刻機，差不多算是用了約14年的時間。

而根據中國製造2025的規劃，我國計劃在2030年實現EUV光刻機的國產化，目前我們國產的光刻機制造工藝還在90奈米水平，也就是說，我們要用比ASML更短的時間，實現更大的工藝技術跨度，其難度可想而知。

不過還是有好訊息的，就在最近，清華大學官方釋出，其研發的一種新型粒子加速器光源SMBB的論文被髮表在自然雜誌，並且受到了國際社會的高度關注，其中關鍵因素就在於，該光源可用於未來的EUV光刻機。

這裡需要注意的，該技術可用於“未來的EUV光刻機”，因為當下的EUV光刻機，其光源功率只有250W，造成生產晶片的效率並不高，ASML也在為了提升光源功率而苦苦探索。

而清華大學的這項研究成果，就無疑為未來更先進的EUV光刻機做了技術準備，可以提供更高的光源功率，事實上，在EUV光刻機的研發中，光源問題幾乎是最為困難的，在光源的供應上，其稀有度基本上就相當於ASML在EUV光刻機市場的情形。

因此我們也就可以理解了，為什麼清華大學釋出了該光源技術後，會得到全球社會的廣泛關注，因為太重要而且技術太難了，要知道光刻機被譽為“合法的印鈔機”，可見其價值所在。

或許正是有像清華大學等這樣的越來越多的科研機構的科研成果，就可以保證我們實現用更短的時間取得更輝煌的成果，因此對於國產EUV光刻機的到來，我們現在也充滿了信心和期待。

TAG: 光刻機EUV晶片奈米光刻膠