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CASICON 2021
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隨著市場對快充介面卡功率密度的不斷追求,介面卡的開關頻率逐漸提升,以縮小內部元件體積,傳統的Si MOS器件,開關損耗和驅動損耗已經明顯拉低了介面卡的轉換效率,器件限制不能繼續提高工作頻率,限制了磁性元件的縮小,不能進一步提升介面卡的功率密度。
近日,由半導體產業網、第三代半導體產業(公號)、博聞創意會展(深圳)有限公司共同主辦的“2021第三代半導體技術及充電產業合作論壇”在“ELEXCON深圳國際電子展暨嵌入式系統展”同期舉行。論壇特別邀請第三代半導體相關專家、快充產業鏈相關專家及企業代表,探討第三代半導體技術及充電產業機遇與挑戰。英諾賽科科技有公司高階產品應用經理鄒豔波帶來了題為“All GaN 系列方案在快充領域的應用”的主題報告。分享了All-GaN 創新解決方案。
英諾賽科科技有公司高階產品應用經理 鄒豔波
他表示,大功率快充期望功率密度進一步提高,InnoGaN 30W~120W 功率段終端產品上市,更多中大功率的裝置將使用GaN PD快充。
同時,報告還詳細介紹了65W、120W、240WAll-GaN 創新解決方案,其中,65W2C1A,開關頻率:400KHZ功率密度:25W/in3;120W 單C,開關頻率:400KHZ,功率密度:38W/in3;240W 48V/5A,開關頻率:500KHZ,功率密度:41W/in3。
他表示,英諾賽科是全球首條8英寸矽基氮化鎵IDM量產線,全球專利700+,產品主要為30V-650V GaN FET,目前在珠海和深圳擁有研發生產基地,深圳擁有市場和應用基地,2021年底產能可達1萬片晶圓/月。未來,氮化鎵的應用將在消費類電子、工業和汽車領域的創新應用值得期待。
嘉賓簡介
鄒豔波,有豐富的氮化鎵器件應用於高頻高密電源開發經驗,原任職於ICT領域知名企業,從事手機、AI智慧雲伺服器和5G通訊裝置的供電解決方案的前沿技術的研究和開發。現負責氮化鎵器件產品應用開發與規劃,構建公司氮化鎵器件產品在5G通訊,新能源汽車,智慧手機,人工智慧,大資料中心等戰略新興領域的競爭力。
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