寫在前面

MOS管是常用的電子元器件，由於導通內阻小，在電源、電力電子、電機控制等行業應用廣泛。既然常用，那麼遇到失效的機率就非常大。好在MOS管的失效就那幾種情況，今天和大家分享一下MOS管的幾種失效模式。

失效模式一：雪崩

如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電湧電壓，而且達到擊穿電壓V（BR）DSS （根據擊穿電流其值不同），並超出一定的能量後就發生破壞的現象。

在介質負載的開關執行斷開時產生的回掃電壓，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓並進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。

典型電路：

失效模式二：器件發熱

由超出安全區域引起發熱而導致的。發熱的原因分為直流功率和瞬態功率兩種。

直流功率原因：外加直流功率而導致的損耗引起的發熱

●導通電阻RDS（on）損耗（高溫時RDS（on）增大，導致一定電流下，功耗增加）

●由漏電流IDSS引起的損耗（和其他損耗相比極小）

瞬態功率原因：外加單觸發脈衝

●負載短路

●開關損耗（接通、斷開） *（與溫度和工作頻率是相關的）

●內建二極體的trr損耗（上下橋臂短路損耗）（與溫度和工作頻率是相關的）

器件正常執行時不發生的負載短路等引起的過電流，造成瞬時局部發熱而導致破壞。另外，由於熱量不相配或開關頻率太高使晶片不能正常散熱時，持續的發熱使溫度超出溝道溫度導致熱擊穿的破壞。

失效模式三：寄生二極體損壞

在DS端間構成的寄生二極體執行時，由於在Flyback時功率MOSFET的寄生雙極電晶體執行，

導致此二極體破壞的模式。

失效模式四：由寄生振盪導致的破壞

此破壞方式在並聯時尤其容易發生

在並聯功率MOS FET時未插入柵極電阻而直接連線時發生的柵極寄生振盪。高速反覆接通、斷開漏極-源極電壓時，在由柵極-漏極電容Cgd（Crss）和柵極引腳電感Lg形成的諧振電路上發生此寄生振盪。當諧振條件（ωL=1/ωC）成立時，在柵極-源極間外加遠遠大於驅動電壓Vgs（in）的振動電壓，由於超出柵極-源極間額定電壓導致柵極破壞，或者接通、斷開漏極-源極間電壓時的振動電壓透過柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導致正向反饋，因此可能會由於誤動作引起振盪破壞。

失效模式五：柵極電湧、靜電破壞

主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪湧和靜電而引起的破壞，即柵極過電壓破壞和由上電狀態中靜電在GS兩端（包括安裝和和測定裝置的帶電）而導致的柵極破壞

PCB板畫廢了，才知道阻抗設計這麼重要！

CAN匯流排很難嗎？CAN匯流排看不懂是不可能的！

怎麼看懂晶片的時序圖？怎麼根據時序圖程式設計？

TAG: 柵極破壞電壓漏極失效